Fuerza de la energía del canal N QFET del paquete de la electrónica de poder del MOSFET de FQT1N60CTF-WS TO-261-4
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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Descripción
Este MOSFET del poder del modo del aumento de N−Channel es el usar producido EN la raya planar propietaria del semiconductor y la tecnología de DMOS. Esta tecnología avanzada del MOSFET se ha adaptado especialmente para reducir resistencia del on−state, y para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta fuerza de la energía de la avalancha. Estos dispositivos son convenientes para las fuentes de alimentación cambiadas del modo, la corrección de factor de poder activo (PFC), y los lastres electrónicos de la lámpara.
Características
• 0,2 A, 600 V, RDS (encendido) = 9,3 (tipo.) @ VGS = 10 V, identificación = 0,1 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 4,8 nC)
• Crss bajo (tipo. 3,5 PF)
• La avalancha 100% probó
• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente
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