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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET NTMFS4C025NT1G del poder para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder

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China MOSFET NTMFS4C025NT1G del poder para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder wholesale
  • China MOSFET NTMFS4C025NT1G del poder para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder wholesale

MOSFET NTMFS4C025NT1G del poder para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder
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Number modelo :NTMFS4C025NT1G
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :20A (TA), 69A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :3.41mOhm @ 30A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :26 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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MOSFET NTMFS 4C025NTdel poder1G para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder
 
 
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
20A (TA), 69A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
3.41mOhm @ 30A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1683 PF @ 15 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
2.55W (TA), 30.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete/caso
8-PowerTDFN, 5 ventajas

 

 

Anuncio del producto:

Nombre de producto: NTMFS4C025NT1G
Fabricante: EN el semiconductor
Tipo de producto: Electrónica de poder del MOSFET

Parámetros:

• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 25V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): 20V
• Drene la corriente (identificación): 4A
• En-resistencia estática de la Dren-fuente (Rds): 0.0055ohm
• Disipación de poder (paladio): 2.25W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Montaje: SMD/SMT

 

 

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>
• SKL es encargado común y una compañía comercial de componentes electrónicos. Nuestra sucursal incluye China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negocio, servicio, resourcing e información de la oferta para nuestro miembro global.
• Las mercancías se aseguran el posible más de alta calidad y se entregan a nuestros clientes por todo el mundo con velocidad y la precisión.
 
Cómo comprar >>>
• Éntrenos en contacto con por el correo electrónico y envió su investigan con su destino del transporte.
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>>> del servicio
• El envío del promotor al comprador mundial, de DHL, de TNT, de UPS, de FEDEX etc. no necesita preocuparse de problema de envío
• Intentaremos responder lo más rápidamente posible. Pero debido a la diferencia de la zona horaria, dé un plazo por favor de hasta 24 horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de la calidad.
• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.
 
MOSFET NTMFS4C025NT1G del poder para los usos de alto rendimiento de la conversión de la transferencia y de poder

 

 

 

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mosfet igbt

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