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La avalancha de la fuerza 1,05 Ω de la energía de la electrónica de poder del MOSFET de FQT5P10TF PackageTO-261-4 probó
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Y tipo
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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1.05Ohm @ 500mA, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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8,2 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±30V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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250 PF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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2W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-223-4
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Paquete/caso
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Características
• -1,0 A, -100 V, RDS (encendido) =1.05 Ω (máximo) @VGS=-10 V, ID=-0.5 A
• Carga baja de la puerta (tipo. 6,3 nC)
• Crss bajo (tipo. 18 PF)
• La avalancha 100% probó
descripción:
Este mosfet del poder del modo del aumento del p-canal se produce usando tecnología planar propietaria de la raya y de los dmos de los semiconductor® de Fairchild. esta tecnología avanzada del mosfet se ha adaptado especialmente para reducir resistencia del en-estado, y para proporcionar funcionamiento que cambiaba superior y alta fuerza de la energía de la avalancha. estos dispositivos son convenientes para las fuentes de alimentación cambiadas del modo, el amplificador audio, el control de motor de la C.C., y el uso variable del poder que cambia
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