Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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El P-canal POWERTRENCH 2,5 V del paquete SOT-23-6 de la electrónica de poder del MOSFET de FDC608PZ especificó los circuitos de poder de batería

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El P-canal POWERTRENCH 2,5 V del paquete SOT-23-6 de la electrónica de poder del MOSFET de FDC608PZ especificó los circuitos de poder de batería

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Number modelo :FDC608PZ
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :P-canal
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20V
Montaje del tipo :Soporte superficial
Vgs (máximo) :±12V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Electrónica de poder del MOSFET de FDC608PZ
El P-canal POWERTRENCH 2,5 V del paquete SOT-23-6 especificó los circuitos de poder de batería

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
23 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±12V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1330 PF @ 10 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
1.6W (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
SuperSOT™-6
Paquete/caso

 

 

 


Descripción

 


Este P−Channel que 2,5 V especificaron el MOSFET se produce usando el proceso avanzado del POWERTRENCH de los onsemi que ha sido
adaptó especialmente para minimizar la resistencia del on−state pero para mantener la carga baja de la puerta para el funcionamiento que cambiaba superior. Éstos
los dispositivos están bien adaptados para los usos del poder de batería: transferencia de la carga y gestión del poder, circuitos de poder de batería, y dc−dc
conversiones.

 


Características


• – 5,8 A, – 20 V. RDS (ENCENDIDO) = 30 m @ VGS = – 4,5 V
RDS (ENCENDIDO) = 43 m @ VGS = – 2,5 V
• Carga baja de la puerta
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
• SuperSOT TM – paquete 6: Pequeña huella (el 72% más pequeño que
) Perfil bajo estándar SO-8 (1 milímetro de grueso)
• Estos dispositivos son Pb−Free y haluro libres

 

 

 

Porqué compra a nosotros rápidamente/con seguridad/convenientemente del >>>



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• Intentaremos responder lo más rápidamente posible. Pero debido a la diferencia de la zona horaria, dé un plazo por favor de hasta 24 horas para conseguir su correo contestado. Los productos fueron probados por algunos dispositivos o software, nos aseguramos de que no haya problemas de la calidad.
• Estamos confiados al servicio rápido, conveniente y seguro del abastecimiento del transporte al comprador global.

 

 

 

El P-canal POWERTRENCH 2,5 V del paquete SOT-23-6 de la electrónica de poder del MOSFET de FDC608PZ especificó los circuitos de poder de batería

 

 

 
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