Electrónica del MOSFET del poder FDBL0150N60 para la transferencia de alta velocidad y la conversión de poder eficiente

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Number modelo :FDBL0150N60

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :60 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :240A (Tc)

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :1.5mOhm @ 80A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :169 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :±20V

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Etiquetas de productos:

toshiba transistor inverter

Carro de la investigación 0

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	240A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	1.5mOhm @ 80A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	169 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	10300 PF @ 30 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	357W (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HPSOF
Paquete/caso	8-PowerSFN