Electrónica de poder del MOSFET FDBL9406-F085T6 – dispositivo que cambia capaz de gran intensidad de la Alto-confiabilidad de alto rendimiento

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Number modelo :FDBL9406-F085T6

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :40 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :45A (TA), 240A (Tc)

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :1.21mOhm @ 50A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3.5V @ 190µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :75 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :+20V, -16V

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Etiquetas de productos:

standard power mosfet

Carro de la investigación 0

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	40 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	45A (TA), 240A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	1.21mOhm @ 50A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3.5V @ 190µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	+20V, -16V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	4960 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	4.3W (TA), 136.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HPSOF
Paquete/caso	8-PowerSFN