Transistor de la electrónica de poder del MOSFET del canal N de Fairchild FCP190N60-GF102 para los usos que cambian de alta velocidad

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Number modelo :FCP190N60-GF102

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :600 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :20.2A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :199mOhm @ 10A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :74 nC @ 10 V

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Etiquetas de productos:

igbt inverter circuit

Carro de la investigación 0

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	600 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	20.2A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	199mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	2950 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete/caso	TO-220-3