Transferencia de alta calidad del poder más elevado de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET de NTTFS5D9N08HTWG para los usos industriales

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Number modelo :NTTFS5D9N08HTWG

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :150V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :25A (TA), 42A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2.8mOhm @ 25A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :84 nC @ 10 V

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Etiquetas de productos:

high current igbt

Carro de la investigación 0

Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	80 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	13A (TA), 84A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	5.9mOhm @ 23A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 120µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	2040 PF @ 40 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	2.7W (TA), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3)
Paquete/caso	8-PowerWDFN