MOSFET dual del canal N de la En-resistencia ultrabaja del semiconductor FDMC86261P con capacidades de la densidad de gran intensidad y de poder

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Number modelo :FDMC86261P

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :150V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :2.7A (TA), 9A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :160mOhm @ 2.4A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :24 nC @ 10 V

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Etiquetas de productos:

igbt saturation voltage

Carro de la investigación 0

Tipo del FET	P-canal
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	150 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	2.7A (TA), 9A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	160mOhm @ 2.4A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±25V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1360 PF @ 75 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	2.3W (TA), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Paquete/caso	8-PowerWDFN