Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Eficacia alta dual del canal N 80V TrenchFET 8-PowerTDFN de la electrónica del MOSFET del poder FDMS7680

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Eficacia alta dual del canal N 80V TrenchFET 8-PowerTDFN de la electrónica del MOSFET del poder FDMS7680

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Number modelo :FDMS7680
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30V
Montaje del tipo :Soporte superficial
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Electrónica del MOSFET del poder FDMS7680
Eficacia alta dual del canal N 80V TrenchFET 8-PowerTDFN

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
6.9mOhm @ 14A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1850 PF @ 15 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
2.5W (TA), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete/caso

 

 

 

El FDMS7680 es un dispositivo avanzado de la electrónica de poder del MOSFET del canal N. Se contiene en un paquete 8-PowerTDFN, haciéndolo ideal para una amplia gama de usos. El FDMS7680 se diseña para proporcionar eficacia alta y pérdidas que cambian bajas. El dispositivo se optimiza para proporcionar la carga baja de la puerta y la capacitancia de salida baja, haciéndolo ideal para los usos que cambian.

 

 

 

El FDMS7680 ofrece una resistencia baja del en-estado que pueda reducir pérdidas de la conducción y minimizar la disipación de poder, tomándole una decisión ideal para los usos de la gestión del poder. El dispositivo es también RoHS obediente, haciéndole una opción respetuosa del medio ambiente.

 

 

 

 

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Eficacia alta dual del canal N 80V TrenchFET 8-PowerTDFN de la electrónica del MOSFET del poder FDMS7680

 

 

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