Electrónica de poderdel MOSFET de FDC 653N
Usos del transistor SOT-23-6 del modo del aumento del canal N
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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El FDC 653N es un transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N (FET) diseñado para maximizar la disipación de poder en un paquete compacto SOT-23-6. Es una en-resistencia de gran eficacia, baja, el MOSFET bajo de la puerta-carga que ofrece una capacitancia baja de la entrada, una velocidad rápidamente que cambia, y una carga baja del puerta-a-dren.
El FDC 653N es ideal para los usos que cambian de gran intensidad, de alta frecuencia tales como convertidores de DC-DC, los conductores del motor, y las fuentes de alimentación que cambian. Proporciona en-resistencia muy baja y carga baja de la puerta para la disipación de poder excelente y las pérdidas que cambian bajas. El FDC 653N es RoHS obediente y compatible con procesos sin plomo el soldar de flujo.
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