Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Dispositivos que cambian bajos de alto voltaje de gran intensidad de la electrónica de poder del MOSFET de NTLJS2103PTBG 6-WDFN RDS (en)

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Dispositivos que cambian bajos de alto voltaje de gran intensidad de la electrónica de poder del MOSFET de NTLJS2103PTBG 6-WDFN RDS (en)

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Number modelo :NTLJS2103PTBG
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :P-canal
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :12V
Montaje del tipo :Soporte superficial
Vgs (máximo) :±8V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Electrónica de poder del MOSFET de NTLJS 2103 PTBG
Dispositivos bajos de alto voltaje de gran intensidad de la transferencia de 6-WDFN RDS (encendido)

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
40mOhm @ 3A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
15 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1157 PF @ 6 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
700mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
6-WDFN (2x2)
Paquete/caso

 

 

 

 

 

El NTLJS 2103 PTBG es un MOSFET de alto rendimiento del poder del aumento-modo del agotamiento-modo diseñado para proporcionar la conversión de poder confiable y eficiente en usos que cambian de fines generales y de alta velocidad. Tiene una en-resistencia baja, una puerta-carga baja y una capacitancia baja, teniendo en cuenta una mejor eficacia de poder y velocidades que cambian más rápidas.

 

 

 

 

El NTLJS 2103 PTBG está disponible en 6- el paquete de WDFN, que se diseña para reducir resistencia termal y para minimizar la disipación de poder, teniendo en cuenta un mejor funcionamiento de enfriamiento. Es también RoHS-obediente y tiene una temperatura de funcionamiento máximo del°C hasta 150, haciéndolo conveniente para los usos des alta temperatura. Este dispositivo es capaz de la operación hasta 20V, haciéndola óptima para los usos de alto voltaje. Además, ofrece un voltaje bajo del umbral y una gama ancha del voltaje, teniendo en cuenta mayor flexibilidad en diseño.

 

 

 

 

 

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Dispositivos que cambian bajos de alto voltaje de gran intensidad de la electrónica de poder del MOSFET de NTLJS2103PTBG 6-WDFN RDS (en)

 

 

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