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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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1.2V, 4.5V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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40mOhm @ 3A, 4.5V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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800mV @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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15 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±8V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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1157 PF @ 6 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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700mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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6-WDFN (2x2)
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Paquete/caso
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El NTLJS 2103 PTBG es un MOSFET de alto rendimiento del poder del aumento-modo del agotamiento-modo diseñado para proporcionar la conversión de poder confiable y eficiente en usos que cambian de fines generales y de alta velocidad. Tiene una en-resistencia baja, una puerta-carga baja y una capacitancia baja, teniendo en cuenta una mejor eficacia de poder y velocidades que cambian más rápidas.
El NTLJS 2103 PTBG está disponible en 6- el paquete de WDFN, que se diseña para reducir resistencia termal y para minimizar la disipación de poder, teniendo en cuenta un mejor funcionamiento de enfriamiento. Es también RoHS-obediente y tiene una temperatura de funcionamiento máximo del°C hasta 150, haciéndolo conveniente para los usos des alta temperatura. Este dispositivo es capaz de la operación hasta 20V, haciéndola óptima para los usos de alto voltaje. Además, ofrece un voltaje bajo del umbral y una gama ancha del voltaje, teniendo en cuenta mayor flexibilidad en diseño.
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