FDB 110N15una electrónica de poder del MOSFET
Amplificación de la transferencia del alto rendimiento del transistor TO-263-3
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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El FDB110N15A es un dispositivo electrónico del poder del MOSFET del canal N manufacturado por el semiconductor de Fairchild. Este dispositivo se contiene en un paquete TO-263-3, que es un pequeño paquete superficie-aumentable que proporciona funcionamiento termal discreto, aumentado.
El FDB110N15A se diseña para entregar poder más elevado en un paquete compacto. Ofrece una en-resistencia baja que permita pérdidas bajas de la conducción, y una carga baja de la puerta que reduzca el cambiar de pérdidas. Además, este dispositivo se diseña para proporcionar velocidades que cambian rápidas y la carga baja de la puerta para la operación eficiente del interruptor.
El FDB110N15A es ideal para el uso en una variedad de usos tales como convertidores de DC/DC, corrección de factor de poder, control de motor, control de la iluminación, y otros usos de alta potencia. Este dispositivo es RoHS obediente y resuelve los estándares de seguridad de la UL y de CSA para la operación confiable.
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