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NVGS4141NT1G 6-TSOP MOSFET Paquete de electrónica de potencia para aplicaciones de alta potencia Canal N 30 V 3,5 A (Ta) 500 mW (Ta)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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25mOhm @ 7A, 10V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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3V @ 250µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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12 nC a 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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560 pF a 24 V
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Función FET
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-
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Disipación de energía (máx.)
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500 mW (Ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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6-TSOP
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Paquete / Caja
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Listado de productos:
Nombre del producto: ON Semiconductor NVGS4141NT1G MOSFET Electrónica de potencia
Tipo de paquete: 6-TSOP
Fabricante: ON Semiconductor
Tipo de producto: Electrónica de potencia MOSFET
Parámetros:
Tensión drenaje-fuente (Vdss): 30 V
Voltaje de fuente de puerta (Vgs): ± 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25° C: 4.1A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 0.91 Ohm @ 4.1A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V
Potencia - Máx.: 8W
Tipo de montaje: Montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Paquete/Caja: 6-TSOP (0,173", 4,40 mm de ancho)