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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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7.2mOhm @ 28A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 150µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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24 nC @ 6 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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2635 PF @ 50 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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83W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-PQFN (5x6)
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Paquete/caso
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El FDMS 86182 es 8- MOSFET del poder del paquete de PowerTDFN diseñado para manejar usos de gran intensidad en usos automotrices e industriales. Ofrece un diseño bajo de la en-resistencia para minimizar pérdidas de la conducción, y la capacidad de gran intensidad hasta 50A. Este dispositivo se diseña con una carga baja de la puerta y una resistencia baja de la puerta para minimizar pérdidas que cambian, y una velocidad que cambia rápida para aumentar eficacia. También ofrece una capacitancia reversa baja de la transferencia para el funcionamiento mejorado de la EMI. El FDMS 86182 es una elección excelente para los usos que requieren pérdidas de gran intensidad, bajas, y alto funcionamiento de la EMI.
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