NTHD3101FT1G 8-SMD MOSFET Transistor de electrónica de potencia para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia

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Number modelo :NTHD3101FT1G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :3.2A (Tj)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :1.8V, 4.5V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :80mOhm @ 3.2A, 4.5V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :7,4 nC @ 4,5 V

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Etiquetas de productos:

smd power mosfet

Carro de la investigación 0

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3.2A (Tj)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8 V, 4,5 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	80mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1,5 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	7,4 nC a 4,5 V
Vgs (Máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	680 pF a 10 V
Función FET	Diodo Schottky (aislado)
Disipación de energía (máx.)	1,1 W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	ChipFET™
Paquete / Caja	8-SMD, cable plano