SOT-223 P-canal de alta calidad -10 A de la electrónica de poder del MOSFET del paquete NVF6P02T3G -20 V

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Number modelo :NVF6P02T3G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :10A (TA)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :2.5V, 4.5V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :50mOhm @ 6A, 4.5V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :20 nC @ 4,5 V

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Etiquetas de productos:

p-channel mosfet sot-23

Carro de la investigación 0

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	10A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	50mOhm @ 6A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	20 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)	±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1200 PF @ 16 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	8.3W (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223 (TO-261)
Paquete/caso	TO-261-4, TO-261AA