P-canal del módulo de electrónica de poder del MOSFET de NTMS4177PR2G 8-SOIC 30 V A 11,4

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Number modelo :NTMS4177PR2G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :30 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :6.6A (TA)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :12mOhm @ 11.4A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :55 nC @ 10 V

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Etiquetas de productos:

n channel power mosfet

Carro de la investigación 0

Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	6.6A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	12mOhm @ 11.4A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	3100 PF @ 24 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	840mW (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete/caso	8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)