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NTGS 4141 NT1 canal N TSOP-6 30 V 7,0 A del poder del transistor de la electrónica de poder del MOSFET deG solo
Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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25mOhm @ 7A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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12 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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560 PF @ 24 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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500mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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6-TSOP
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Paquete/caso
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Anuncio del producto:
EN el semiconductor NTGS4141NT1G, electrónica de poder del MOSFET, paquete TSOP-6
EN el semiconductor NTGS4141NT1G es un dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET en un paquete TSOP-6. Ofrece un voltaje de la dren-fuente de 30V y una en-resistencia de la dren-fuente del mOhm 2,3. Es conveniente para el uso en diversos usos, incluyendo la transferencia, la gestión del poder y el condicionamiento de señal. También tiene una temperatura de funcionamiento máximo de 150°C.