Mm20 V 3,6 A del canal N 2,4 x 2,9 del poder de la electrónica de poder del MOSFET de NTR3C21NZT1G SOT-23 solos 1,0 x

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Number modelo :NTR3C21NZT1G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :999999

Plazo de expedición :1-3 días

Detalles de empaquetado :Estándar

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :20 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :3.6A (TA)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :1.8V, 4.5V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :24mOhm @ 5A, 4.5V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :nC 17,8 @ 4,5 V

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Etiquetas de productos:

ag726 mosfet

Carro de la investigación 0

Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	3.6A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	24mOhm @ 5A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	nC 17,8 @ 4,5 V
Vgs (máximo)	±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1540 PF @ 16 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	470mW (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3