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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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2.5mOhm @ 25A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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165 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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12530 PF @ 30 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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2.5W (TA), 104W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-PQFN (5x6)
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Paquete/caso
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Descripción general
Este MOSFET de N−Channel se ha diseñado específicamente
para mejorar la eficacia total y minimizarla cambian el sonido del nodo
de los convertidores de DC/DC usando síncrono o síncrono o
reguladores convencionales de la transferencia PWM. Se ha optimizado para
diodo de la carga baja de la puerta, del rDS bajo (encendido), de la velocidad rápidamente que cambia y del cuerpo
funcionamiento reverso de la recuperación.
Características
• RDS máximo (encendido) = 2,5 m en VGS = 10 V, identificación = 25 A
• RDS máximo (encendido) = 3,7 m en VGS = 4,5 V, identificación = 20 A
• Combinación avanzada del paquete y del silicio para el rDS bajo (encendido) y de gran eficacia
• La siguiente generación aumentó la tecnología del diodo del cuerpo, dirigida para suave
recuperación
• Diseño de paquete robusto MSL1
• El 100% UIL probó
• RoHS obediente
Usos
• Interruptor primario en DC−DC aislado
• Rectificador síncrono
• Interruptor de la carga
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