Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Rendimiento óptimo de alta calidad de las características avanzadas de la electrónica de poder del MOSFET de FDMC86520L

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Rendimiento óptimo de alta calidad de las características avanzadas de la electrónica de poder del MOSFET de FDMC86520L

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Number modelo :FDMC86520L
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :60V
Montaje del tipo :Soporte superficial
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Rendimiento óptimo de alta calidad de las características avanzadas de la electrónica de poder del MOSFET de FDMC86520L

 

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
4550 PF @ 30 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
2.3W (TA), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)
Paquete/caso

 

 

 

 

El FDMC86520L es un dispositivo electrónico del poder del MOSFET del canal N del alto rendimiento diseñado para proporcionar confiabilidad máxima y eficacia en una amplia gama de usos. Este dispositivo ofrece una estructura de baja tensión avanzada del foso y una resistencia baja del en-estado para aumentar la disipación de la eficacia y de poder. Su carga baja de la puerta y voltaje bajo del umbral hacerlo ideal para los usos de alta frecuencia.

 

 

El dispositivo está disponible en un pequeño paquete del factor de forma, haciéndolo ideal para los usos espacio-obligados. Es también RoHS-obediente y ofrece un grado de alta temperatura para la confiabilidad creciente. Este dispositivo es conveniente para el uso en una variedad de usos, incluyendo fuentes de alimentación que cambian, los convertidores de gran eficacia de DC-DC, y el control de motor.

 

 

 

 

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Rendimiento óptimo de alta calidad de las características avanzadas de la electrónica de poder del MOSFET de FDMC86520L

 

 

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