Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Punto bajo de alta calidad de la confiabilidad del transistor de la electrónica de poder del MOSFET FDD2572 TO-252-3 en la resistencia que actúa de par en par voltaje

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Punto bajo de alta calidad de la confiabilidad del transistor de la electrónica de poder del MOSFET FDD2572 TO-252-3 en la resistencia que actúa de par en par voltaje

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Number modelo :FDD2572
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :150V
Montaje del tipo :Soporte superficial
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Electrónica de poder del MOSFET FDD2572

Punto bajo de alta calidad de la confiabilidad del transistor TO-252-3 en la resistencia que actúa de par en par voltaje

 

 

 

Tipo del FET
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
54mOhm @ 9A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1770 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete/caso

 

 

 

 

El FDD 2572 es un MOSFET de alto voltaje, de gran intensidad del poder en un paquete TO-252-3. Tiene un voltaje de avería de la dren-fuente de 100V y una corriente continua del dren de 25A. Es una opción ideal para ejecutar usos que cambian de alta potencia tales como control de velocidad de alta frecuencia de la transferencia y del motor. El FDD 2572 se equipa de una en-resistencia baja y de un voltaje bajo del puerta-umbral, que permite apagón reducido y eficacia mejorada. También ofrece una velocidad que cambia rápida y una carga baja de la puerta, que las ayudas reducir el cambiar de tiempo y mejorar funcionamiento de sistema. Además, es RoHS obediente y viene con una protección incorporada contra reverso-prejuicio y descarga electrostática. El FDD 2572 es una opción ideal para la puesta en práctica de usos que cambian de alta potencia en diversas industrias.

 

 

 

 

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Punto bajo de alta calidad de la confiabilidad del transistor de la electrónica de poder del MOSFET FDD2572 TO-252-3 en la resistencia que actúa de par en par voltaje

 

 

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