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NTMFS 5C460A MÁS TARDAR 1 electrónica de poder del MOSFET deG
punto bajo de la eficacia de poder más elevado 8-PowerTDFN en fuentes del modo del interruptor de la resistencia
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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4.5mOhm @ 35A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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23 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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1300 PF @ 20 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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3.6W (TA), 50W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Paquete/caso
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El NTMFS5C460NLT1G es un dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET del canal N manufacturado cerca EN el semiconductor. Se diseña para proporcionar soluciones de gran intensidad de la gestión de la transferencia y del poder en una amplia gama de usos. El dispositivo se contiene en un paquete 8-PowerTDFN, que ofrece un perfil bajo y es ideal para los usos espacio-obligados. Su tecnología de proceso avanzada ofrece rápidamente cambiar y la en-resistencia baja para una eficacia más alta, los apagones reducidos y el funcionamiento de sistema total mejorado.
El NTMFS5C460NLT1G ofrece un diodo interno de la protección del ESD, que proporciona la protección contra la descarga electrostática (ESD) y mejora la confiabilidad del dispositivo. Su configuración de la fuente común y voltaje bajo del umbral hacerlo conveniente para cambiar, el nivel desplazando y señalar usos del condicionamiento.
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