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Electrónica de poder del MOSFET de NTNS 3164 NZT 5G
Altos usos de la confiabilidad del alto rendimiento SOT-883
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Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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1.5V, 4.5V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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700mOhm @ 200mA, 4.5V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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1V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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0,8 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±8V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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24 PF @ 10 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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155mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
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Paquete/caso
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El NTNS 3164 NZT 5G es un transistor del modo del aumento del P-canal en el paquete SOT-883 (SC-88). Se diseña para el uso en usos que cambian del alto-lado donde no está posible la impulsión lateral baja de la puerta. Este dispositivo ofrece una en-resistencia de 4,3 ohmios, de un RDS (ENCENDIDO) del mΩ 8,3, de una corriente continua máxima del dren de -12 A, y de una corriente máxima del pulso de -20 A. Tiene funcionamiento termal excelente, con una temperatura de empalme máxima del °C 175 y una carga baja de la puerta de 17nC. Este dispositivo es conveniente para los usos tales como convertidores de DC-DC, control de motor, y electrónica portátil.
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