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Usos exigentes de la confiabilidadde la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET de NVS 4001 NT1G SC-70
Tipo del FET
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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1.5Ohm @ 10mA, 4V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 100µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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1,3 nC @ 5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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33 PF @ 5 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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330mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SC-70-3 (SOT323)
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Paquete/caso
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El NVS 4001 NT1G es un dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET del paquete SC-70 manufacturado cerca EN el semiconductor. Este MOSFET tiene un grado del voltaje de la dren-fuente de 20 V, una corriente del dren de 200 mA y un RDS (encendido) de 0,95 Ω. Es ideal para el uso en la baja tensión, los usos de la energía baja tales como convertidores de DC-DC, los interruptores de la carga, y los circuitos de protección de la batería. El NVS 4001 NT1G ofrece épocas que cambian rápidas, la carga baja de la puerta, y una resistencia baja del en-estado. Es también incluye una variedad de características de protección tales como protección reversa de la polaridad, protección del ESD, y protección de la sobretensión. Este MOSFET está disponible en una variedad de paquetes y es RoHS obediente.
Este dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET se diseña para cambiar rápidamente y confiablemente con una en-resistencia baja del mΩ 8, tomándole una decisión ideal para los usos de alto rendimiento, de alta potencia. La carga baja de la puerta de 5,8 nC asegura velocidades que cambian rápidas y eficacia de poder mejorada. El dispositivo ofrece un grado de alto voltaje de 30 V y una corriente continua del dren de 2,4 A, haciéndolo conveniente para una amplia gama de usos.
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