Conversión de poder de la eficacia altadel dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET de NTR 5105 pinta1G TO-236-3
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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NTR5105PT1G es un MOSFET del modo del aumento del canal N que se contiene en el paquete TO-236-3. Tiene una en-resistencia baja de 0,35 ohmios y una carga baja de la puerta de 18 nC. Se diseña para los usos que cambian de alta velocidad tales como fuentes de alimentación, control de motor y transferencia de la carga. El dispositivo también tiene voltaje bajo del umbral de la puerta, haciéndolo conveniente para los usos de la energía baja. La corriente máxima del dren es 110A y el voltaje máximo de la dren-fuente es 200V. Tiene un grado de alta temperatura de 175°C y una resistencia termal baja de 1.90°C/W. El NTR5105PT1G es RoHS obediente y es conveniente para los usos que cambian de alta frecuencia.
El NTR5105PT1G es un dispositivo de la electrónica de poder del MOSFET en un paquete TO-236-3. Se diseña para proporcionar rendimiento óptimo en usos de alto voltaje. Con su en-resistencia baja y épocas que cambian rápidas, es ideal para los usos que requieren eficacia alta y salida de poder. El NTR5105PT1G tiene un voltaje máximo de la dren-fuente de 100V y una corriente máxima del dren de 14A. También tiene un voltaje máximo del umbral de la puerta de 1.5V, haciéndolo conveniente para el uso con voltajes bajos de la impulsión de la puerta. Su en-resistencia máxima de la dren-fuente es 1.4Ω en 10V y típicamente 0.6Ω en 4.5V, permitiendo que maneje una gran cantidad de poder con pérdidas mínimas.
El NTR5105PT1G se diseña para la durabilidad y la confiabilidad, con una temperatura de funcionamiento máximo de 175°C y de un circuito de protección integrado del ESD. Tiene un funcionamiento que cambia de alta frecuencia con un rato de abertura máximo de 1.3µs y un rato máximo de la vuelta-apagado de 2.6µs. Esto hace conveniente para los usos que requieren la transferencia rápida, tal como control de motor y conversión de poder.
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