DN3545 N3- velocidad del canal N de la electrónica de poder del MOSFET de G que cambia bajo en resistencia
Descripción de producto:
La electrónica de poder del MOSFET de DN3545N3-G de los diodos Incorporated es una opción perfecta para los usos que cambian del poder del alto-lado. Este dispositivo incluye un conductor integrado de la puerta, así como un diodo interno del cuerpo para la protección actual reversa. Apoya un voltaje bajo de la puerta-a-fuente con una en-resistencia muy baja de 3.5mΩ, haciéndolo ideal para los usos que requieren la transferencia eficiente del poder.
Parámetros del producto:
• Paquete: DPAK
• Voltaje máximo de la fuente del dren: 35V
• Voltaje de fuente de puerta máximo: ±20V
• Corriente máxima del dren: 45A
• Drene la fuente en resistencia: 3.5mΩ
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
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