Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Usos del alto rendimiento de los FETs de la electrónica de poder del MOSFET de MIC94050YM4-TR

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Usos del alto rendimiento de los FETs de la electrónica de poder del MOSFET de MIC94050YM4-TR

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Number modelo :MIC94050YM4-TR
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 150°C (TJ)
Situación del producto :Activo
Paquete/caso :TO-253-4, TO-253AA
Montaje del tipo :Soporte superficial
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :6 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :1.8A (TA)
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MIC94050 YM 4- usos del alto rendimiento de los FETs de la electrónica de poder del MOSFET del TR

 

 

 

MOSFET del modo del aumento del canal N de MIC94050YM4-TR

 

 

Descripción:

 

El MIC94050YM4-TR es un MOSFET del modo del aumento del canal N de la tecnología del microchip. Este dispositivo se diseña para proporcionar funcionamiento que cambia excelente y en-resistencia baja en un pequeño paquete. Utiliza una estructura del foso para el RDS mejorado (encendido) y es ideal para la carga y la línea usos de la transferencia.

 

 

 

Características:

 

• RDS (encendido): 0.18Ω (típico)
• Voltaje de la Dren-fuente: 55V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 25A
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C
• Paquete/caso: TO-251-3 (D-Pak)

 


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