MOSFET del poder AOD4144_002
Características:
• En-resistencia baja
• Velocidad que cambia rápida
• Capacitancia entrada baja
• Diseño de alta densidad de la célula
• Salida entrada y de la salida baja
• Altos grados de la energía de la avalancha
• Carga baja de la puerta
• Resistencia termal baja
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 60V
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V
• Drene la corriente (identificación): 100A
• Disipación de poder (paladio): 200W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Modo del canal: Aumento
• Tipo del paquete: TO-220AB
• Polaridad: Canal N
• Montaje del tipo: Soporte superficial
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