MOSFET de potencia de canal N AON7296
Características:
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Baja resistencia de encendido
• Protección ESD
• Voltaje de umbral de puerta bajo
• Baja corriente de fuga
• Baja capacitancia de entrada
• Capacidad de salida baja
• Conmutación de alta velocidad
• 100 % probado por UIL
• RoHS
Especificaciones:
• Voltaje de fuente de drenaje: 30 V
• Corriente de drenaje continua: 2,5 A
• RDS (activado): 0,032 Ω
• Voltaje de umbral de puerta: 1,8 V
• Voltaje de fuente de puerta: ±20V
• Carga total de la puerta: 7nC
• Capacitancia de entrada: 30pF
• Capacidad de salida: 30pF
• Protección ESD: 4kV
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C a 150 °C
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