Anuncio del producto: MOSFET BSS131H6327XTSA1
Características:
- Modo del aumento del canal N
- En-resistencia baja
- Transferencia rápida y voltaje bajo del umbral
- Carga baja de la puerta
- Energía mejorada de la avalancha y capacidad robusta de dv/dt
- RoHS obediente
Especificaciones:
- Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 30V
- Voltaje de la Puerta-fuente (Vgss): ±20V
- Drene la corriente (identificación): -1.4A (Tc=25℃)
- En-resistencia de la Dren-fuente (Rds): 0.28Ω (Tc=25℃)
- Disipación de poder (paladio): 1.2W (Tc=25℃)
- Energía de la avalancha (Eas): 8mJ
- Gama de temperaturas de funcionamiento (Tj): -55°C a +150°C
- Gama de temperaturas de almacenamiento (Tstg): -55°C a +150°C
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