Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IPW65R110CFD para el control de la automatización

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Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IPW65R110CFD para el control de la automatización

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Number modelo :IPW65R110CFD
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Voltaje de la Dren-fuente (VDS) :30V
Voltaje de la Puerta-fuente (VGS) :±20V
Corriente continua del dren (identificación) :110A
En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)) :0.0065Ω
Temperatura de funcionamiento :-55°C a 150°C
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Solución de alto rendimientode la electrónicade poderdel MOSFET de IPW 65R110CFD para el control de la automatización

 

 

MOSFET del poder del canal N de IPW65R110CFD

Descripción de producto:

El MOSFET del poder del canal N de IPW65R110CFD es un dispositivo de alta velocidad, de pequeñas pérdidas diseñado para el uso en los usos de la gestión del poder donde se desea una en-resistencia baja. Este MOSFET ofrece un conductor integrado de la puerta, que proporciona una solución que cambia rápida y robusta. Con sus capacidades de dirección actuales bajas del RDS (encendido) y del alto-lado, el IPW65R110CFD es ideal para una amplia gama de usos.

 

Características de producto:

• Transferencia de alta velocidad
• En-resistencia baja
• Conductor integrado de la puerta
• Capacidad de dirección actual del Alto-lado
• RoHS obediente

 

Especificaciones de producto:

• Voltaje de la Dren-fuente (VDS): 30V
• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente continua del dren (identificación): 110A
• En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 0.0065Ω
• Paquete: TO-252 (D-PAK)
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C

 

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