Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IPW60R070P6 MOSFET Power Electronics Solución de conmutación de bajo voltaje de alto rendimiento y alta eficiencia

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:DANDAN
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IPW60R070P6 MOSFET Power Electronics Solución de conmutación de bajo voltaje de alto rendimiento y alta eficiencia

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Number modelo :IPW60R070P6
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :53.5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :70mOhm @ 20.6A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4.5V @ 1.72mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :100 nC @ 10 V
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IPW60R070P6 MOSFET Power Electronics Solución de conmutación de bajo voltaje de alto rendimiento y alta eficiencia

Descripción del Producto:

El IPW60R070P6 es un MOSFET de canal N, diseñado para su uso en aplicaciones como administración de energía, control de motores y conmutación de carga.El dispositivo presenta un voltaje de umbral de puerta de nivel lógico y está diseñado para minimizar la resistencia en estado activo y la carga de la puerta.

Características del producto:

* Tensión de umbral de nivel lógico
* Baja resistencia en el estado
* Carga de puerta baja
* RoHS

Especificaciones:

* Voltaje de fuente de drenaje (VDS): 60V
* Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 20V
* RDS (activado): 0,07 Ω
* Identificación: 60A
* Disipación de potencia (PD): 385W
* Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a +175 °C
* Temperatura Máxima de Unión (Tj): +175°C
* Tipo de paquete: D2PAK.

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• Estamos comprometidos a brindar un servicio de transporte rápido, conveniente y seguro al comprador global.

IPW60R070P6 MOSFET Power Electronics Solución de conmutación de bajo voltaje de alto rendimiento y alta eficiencia

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