Transistor de baja tensión de alto rendimiento Bajo-RDS de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML0100TRPBF (encendido)
Anuncio del producto:
MOSFET DE IRLML0100TRPBF
Descripción de producto:
El IRLML0100TRPBF es un MOSFET del modo del aumento del canal N con una en-resistencia baja y una velocidad que cambia rápida. Es conveniente para una amplia gama de usos incluyendo la transferencia, el desplazamiento del nivel y la amplificación de fines generales.
Características de producto:
• MOSFET del modo del aumento del canal N
• En-resistencia baja: RDS (ENCENDIDO) = 0,01 ohmios (de máximo)
• Velocidad que cambia rápida: tf = 12ns (tipo)
• Capacitancia entrada baja: CISS = 120pF (tipo)
• Voltaje bajo del Puerta-umbral: VGS (th) = 0.8V (máximo)
• RoHS obediente
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