Anuncio del producto: Características del MOSFET del poder de IRF7380TRPBF: • Modo del aumento del canal N • Puerta del nivel de la lógica • En-resistencia baja • temperatura de funcionamiento 175°C • La energía de la avalancha valoró • Capacidad mejorada de dv/dt • Velocidad que cambia rápida • Especificaciones obedientes de RoHS: • Voltaje de la Dren-fuente (VDS): -100V • Corriente continua del dren (identificación): -55A • Corriente pulsada del dren (IDM): -110A • Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): -20V • Voltaje del umbral de la puerta (VGS (th)): -2V • En-resistencia (RDS (encendido)): -0.0085Ω • Disipación de poder (paladio): -150W • Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C • Montaje del tipo: - SMD/SMT
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