Poder más elevado del MOSFET de IRFS 7530 TRL 7PP
Electrónica para los usos automotrices e industriales
Este producto es un MOSFET del canal N con un diodo integrado de Schottky. Ofrece una en-resistencia ultrabaja y una carga baja de la puerta, haciéndolo ideal para los usos del interruptor. El producto también tiene una capacitancia baja de la entrada y velocidades que cambian rápidas.
Especificaciones:
• MOSFET del canal N
• Diodo integrado de Schottky
• En-resistencia ultrabaja: 75mΩ
• Carga baja de la puerta: 15nC
• Capacitancia entrada baja: 18pF
• Velocidades que cambian rápidas: 12V/ns
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
• Voltaje máximo de la fuente del dren: 55V
• Corriente máxima del dren: 27A
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