Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transferencia rápida de la En-resistencia baja de gran intensidad de la electrónica de poder del MOSFET de IRF4905PBF

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País/Región:china
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Transferencia rápida de la En-resistencia baja de gran intensidad de la electrónica de poder del MOSFET de IRF4905PBF

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Number modelo :IRF4905PBF
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :99999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :en existencia
Tipo del FET :Canal de P
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
voltaje de la Dren-fuente (Vdss) :55V
Corriente en 25°C - dren continuo (identificación) :74A (Tc)
Conduciendo el voltaje (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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MOSFET DE IRF4905PBF

 

Descripción de producto:


El IRF4905PBF es un MOSFET de alto rendimiento del poder, ofreciendo en-resistencia baja y épocas que cambian rápidas. Este MOSFET es conveniente para el uso en usos de la gestión del poder, amplificadores audios, impulsiones del motor, fuentes de alimentación que cambian, y otros usos de gran intensidad.

 

Características:


• En-resistencia baja
• Capacidad de gran intensidad
• Facilidad de ser paralelo a
• Épocas que cambian rápidas
• Carga baja de la puerta
• RoHS obediente
• Halógeno libre

Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente: 100V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Corriente continua del dren: 30A
• Corriente del dren del pulso: 120A
• RDS (encendido): 0.076Ω
• Disipación de poder: 1.2W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C

 

 

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