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Punto bajo de gran intensidad de alto voltaje de la electrónica de poder del MOSFET de IRFH 6200 TRPBF en resistencia
El IRFH 6200 TRPBF de Infineon es un solo MOSFET del poder del ® del canal N HEXFET en un paquete de TO-220AB. Es un MOSFET del alto-lado que ofrece la carga baja de la puerta y la en-resistencia baja, haciéndolo ideal para el uso en usos que cambian de alta frecuencia. Este MOSFET tiene un voltaje de la dren-fuente de 30V, un grado actual de 4,2 A y una disipación de poder máxima de 18W. Tiene una velocidad que cambia rápida de 4,3 nC y un voltaje del umbral de la puerta de 1,4 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento del °C -55 a +175°C.
Este MOSFET del canal N del rectificador internacional tiene un voltaje máximo de la fuente del dren de 60V, una corriente continua del dren de 20A, y una disipación de poder máxima de 225W. Ofrece una velocidad que cambia rápida y una en-resistencia baja de 4.3mΩ. El dispositivo se puede utilizar en una amplia gama de usos tales como gestión del poder, control de motor, y amplificadores audios.
Características:
• Voltaje máximo de la fuente del dren: 60V
• Corriente continua del dren: 20A
• Disipación de poder máxima: 225W
• Velocidad que cambia rápida
• En-resistencia baja: 4.3mΩ
• Conveniente para el control de motor, la gestión del poder, y los amplificadores audios
• RoHS obediente
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