Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET del IRF 6217 TRPBF para los usos de gran intensidad
Parámetros:
• Paquete: TO-220
• Tipo del transistor: Canal N
• Vds – voltaje de avería de la Dren-fuente: 100V
• Identificación – corriente continua del dren: 25A
• Rds en – resistencia de la Dren-fuente: 0,02 ohmios
• Vgs – voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Disipación de poder: 80W
• Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Polaridad: Canal N
• Montaje del tipo: A través del agujero
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