Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Electrónica de poder del alto rendimiento del MOSFET de IRF7493TRPBF para la eficacia alta y la confiabilidad

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Electrónica de poder del alto rendimiento del MOSFET de IRF7493TRPBF para la eficacia alta y la confiabilidad

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Number modelo :IRF7493TRPBF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :80 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :9.3A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :15mOhm @ 5.6A, 10V
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Electrónica de poder del alto rendimiento del MOSFET del IRF 7493 TRPBF para la eficacia alta y la confiabilidad

 

 

El MOSFET de IRF7493TRPBF es un MOSFET de alto rendimiento, de baja tensión del poder diseñado para el uso en una amplia gama de consumidor y usos automotrices. Proporciona funcionamiento que cambia excelente, en-resistencia baja, y las tarifas que cambian rápidas, haciéndola ideal para el uso en fuentes de alimentación que cambian, convertidores de DC-DC, control de motor, y otros usos de alta frecuencia.

 

 

Características de producto:

 

• En-resistencia baja: 0,015 ohmios

• Voltaje máximo de la dren-fuente: 30V

• Voltaje máximo de la puerta-fuente: ±20V

• Corriente máxima del dren: 2.5A

• Épocas que cambian rápidas:

- Tiempo de subida de la puerta: 75ns
- Tiempo de caída de la puerta: 75ns
- Tiempo de retraso de la vuelta-apagado: 120ns
- Tiempo de retraso de abertura: 135ns
• Paquete RoHS-obediente sin plomo

 

 

 

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Electrónica de poder del alto rendimiento del MOSFET de IRF7493TRPBF para la eficacia alta y la confiabilidad

 

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