MOSFET del poder más elevado de IRFB3306PBF para los usos de la electrónica de poder
MOSFET del poder de IRFB3306PBF
Parámetros:
VDS - 100V
Identificación - 30A
RDS (encendido) - 0,0088 ohmios
Fabricante: Rectificador internacional
Tipo del paquete: TO-220
Voltaje máximo del umbral de la puerta: 4V
Voltaje máximo de la fuente del dren: 100V
Corriente máxima del dren: 30A
Disipación de poder máxima: 13W
Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
Montaje del tipo: A través del agujero
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