Rendimiento del MOSFET de IRFB 4227 PBF alto
Solución de la electrónica de poder del poder más elevado
Descripción:
El IRFB4227PBF es un MOSFET del canal N con un voltaje máximo de la fuente del dren de 200V. Tiene una corriente de fuente del dren de 8.5A, un voltaje del umbral de la puerta de 4V, y una disipación de poder máxima de 32W. Este MOSFET es ideal para el uso en usos de alta potencia tales como control de motor, iluminación, y gestión del poder. El IRFB4227PBF es RoHS obediente y se fabrica en un paquete TO-220.
Parámetros:
• Voltaje máximo de la fuente del dren: 200V
• Corriente de fuente del dren: 8.5A
• Voltaje del umbral de la puerta: 4V
• Disipación de poder máxima: 32W
• RoHS obediente
• Paquete: TO-220
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