Transferencia del poder más elevado de la electrónica de poder del MOSFET de IRF730PBF en las pérdidas bajas
Descripción:
El IRF730PBF es un MOSFET rápido del poder del canal N que cambia diseñado para los usos que cambian de alta velocidad. Ofrece la carga baja de la puerta, la en-resistencia baja, y la capacidad de dirección de gran intensidad.
Parámetros:
- Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 500V
- Continuo drene la corriente (identificación): 10A
- Rds (encendido): 0,03 Ω
- Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V
- Disipación de poder (paladio): 30W
- Impedancia termal transitoria máxima (j-c de Zth): 2,1 °C/W
- Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Paquete: TO-220AB
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