Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Soluciones que cambian del poder del alto rendimiento de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET SIRA20DP-T1-RE3

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Soluciones que cambian del poder del alto rendimiento de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET SIRA20DP-T1-RE3

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Number modelo :SIRA20DP-T1-RE3
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :25 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :81.7A (TA), 100A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :0.58mOhm @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.1V @ 250µA
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Electrónica de poder del MOSFET SIRA20DP-T1-RE3

Soluciones que cambian del poder del alto rendimiento de la eficacia alta

 

 

 

Descripción:

 

Este MOSFET del modo del aumento del canal N es un transistor de alta velocidad, de baja tensión con características que cambian excelentes. Es ideal para la gestión del poder y los usos que cambian.

 

 

Parámetros:


- Voltaje de funcionamiento: 20V
- Voltaje de la Dren-fuente: 20V
- Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
- Corriente continua del dren: 20A
- Disipación de poder: 140W
- En-resistencia de la Dren-fuente: 0.082Ohm
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
- Tipo del paquete: TO-220

 

 

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Soluciones que cambian del poder del alto rendimiento de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET SIRA20DP-T1-RE3

 

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