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Electrónica de poder del MOSFET SIRA20DP-T1-RE3
Soluciones que cambian del poder del alto rendimiento de la eficacia alta
Descripción:
Este MOSFET del modo del aumento del canal N es un transistor de alta velocidad, de baja tensión con características que cambian excelentes. Es ideal para la gestión del poder y los usos que cambian.
Parámetros:
- Voltaje de funcionamiento: 20V
- Voltaje de la Dren-fuente: 20V
- Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
- Corriente continua del dren: 20A
- Disipación de poder: 140W
- En-resistencia de la Dren-fuente: 0.082Ohm
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 150°C
- Tipo del paquete: TO-220
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