Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRL2203NPBF en resistencia

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRL2203NPBF en resistencia

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Number modelo :IRL2203NPBF
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número bajo del producto :IRL2203NPBF
Drene el voltaje de la fuente (Vdss) :30V
Corriente continua del dren (identificación) :116A
Poder (paladio) :180W
En-resistencia (RDS (encendido) @ Vgs, identificación) :los 7m Ω @ 10V, 60A
Voltaje del umbral identificación (de Vgs (th) @) :1V@250uA
Paquete :TO-220
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Nombre de producto: MOSFET del canal N BSP372NH6327

 

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MOSFET DE IRL2203NPBF

 

Parámetros del producto:


- Tipo: MOSFET del canal N
- Voltaje de la Dren-fuente: 100V
- Corriente continua del dren: 22A
- RDS (encendido): 0,01 ohmios
- Disipación de poder: 55W
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
- Montaje del tipo: A través del agujero

 

 

Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRL2203NPBF en resistencia

 

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