Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder de la electrónica de poder del MOSFET de BSC190N15NS3G

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder de la electrónica de poder del MOSFET de BSC190N15NS3G

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Number modelo :BSC190N15NS3G
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número bajo del producto :BSC190N15NS3G
Drene el voltaje de la fuente (Vdss) :150 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :50A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :19mOhm @ 50A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 90µA
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Anuncio del producto:

 

Nombre de producto: MOSFET del canal N de BSC190N15NS3G

 

Tipo del paquete: TO-220

 

Configuración: Solo

 

Fuente del Voltaje-dren (Vdss): 150V

 

Dren Actual-continuo (identificación) @ 25°C: 30A

 

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 4,2 ohmios

 

Umbral de la fuente de la Voltaje-puerta (Vgs): 4.5V

 

Poder-disipación (paladio) @ Tc: 125W

 

Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a 175°C

 

Montaje de estilo: A través del agujero

 

Fabricante: Infineon Technologies

 

 

 

Solución de alto rendimiento de la electrónica de poder de la electrónica de poder del MOSFET de BSC190N15NS3G

 

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