Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Electrónica de poder de alto rendimiento del MOSFET de la electrónica de poder del MOSFET de IRLR3410TRLP para el rendimiento superior

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Electrónica de poder de alto rendimiento del MOSFET de la electrónica de poder del MOSFET de IRLR3410TRLP para el rendimiento superior

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Number modelo :IRLR3410TRLPBF
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número bajo del producto :IRLR3410TRLPBF
Drene el voltaje de la fuente (Vdss) :100V
rive el voltaje (Max Rds On, Min Rds On) :4V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :105mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :800 PF @ 25 V
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Anuncio del producto:

 

MOSFET DE IRLR3410TRLPBF

 

Características:

 

• En-resistencia baja de la dren-fuente
• Carga ultrabaja de la puerta
• voltaje de la dren-fuente 100V
• voltaje de la puerta-fuente 10V
• Capacitancia de salida baja de la puerta
• RoHS obediente
• paquete Pb-libre

 

Especificaciones:


• Voltaje de la Dren-fuente: 100V
• Voltaje de la Puerta-fuente: 10V
• Drene actual (continuo): 34A
• Drene actual (pulsado): 68A
• En-resistencia de la Dren-fuente: 4.8mΩ
• Salida de la Puerta-fuente: 10nA
• Salida del Puerta-dren: 10nA
• Transconductancia delantera: 12.7S
• Capacitancia entrada: 47pF
• Capacitancia de salida: 11pF
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
• Paquete: TO-252

 

Electrónica de poder de alto rendimiento del MOSFET de la electrónica de poder del MOSFET de IRLR3410TRLP para el rendimiento superior

 

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