Transferencia de alta calidad de alta frecuencia de la eficacia alta de la electrónica de poder del MOSFET SI4488DY-T1-E3
Descripción de producto:
El SI4488DY-T1-E3 es un MOSFET del poder del canal N manufacturado por Vishay. Tiene un voltaje de la dren-fuente de 30V, un voltaje de la puerta-fuente de ±20V, una corriente del dren de 61A, una resistencia del en-estado de la dren-fuente de 0.312mΩ, y una disipación de poder máxima de 85W. Este MOSFET es ideal para los usos des alta temperatura y de alto voltaje.
Características:
• Canal N
• voltaje de la Dren-fuente 30V
• voltaje de la Puerta-fuente de ±20V
• corriente del dren 61A
• resistencia del En-estado de la Dren-fuente 0.312mΩ
• disipación de poder máxima 85W
• Usos des alta temperatura y de alto voltaje
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