Características del MOSFET del canal Nde Infineon BSCA 052N08NS5ATMA 1:
• En-resistencia baja RDS (encendido)
• Carga baja Qg de la puerta
• Voltaje delantero bajo VF
• Facilidad de ser paralelo a
• Voltaje bajo VGS (th) del umbral
• Capacidad aumentada de dv/dt
• Avalancha clasificada
• Halógeno-libre según IEC 61249 - 2- 21
• Especificaciones obedientes de RoHS
• Drene al voltaje de la fuente: 800 V
• Identificación actual del dren continuo: 52 A
• Voltaje VGS (th) del umbral de la puerta: 4 V
• En-resistencia RDS (encendido): 0,0055 Ω
• Carga Qg de la puerta: 25 nC
• Gfs delanteros de la transconductancia: 24,7 S
• Paladio de la disipación de poder: 280 W
• Temperatura de funcionamiento: -55 °C al°C 175
• Paquete: TO-252-3 (DPAK)
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